今天上午三星宣布开始大规模生产新型250GB SATA固态硬盘(SSD)，集成了三星的第六代256Gb 3-bit V-NAND。

三星称，利用“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND比之前的90+层单堆叠结构增加了约40%的层数，达到了136层。

随着每个单元堆叠高度的增加，NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟。为了克服这种局限性，三星重新进行电路设计，使它获得最快的数据传输速度，低于450微秒(μs)写操作和低于45μs读取延迟。与上一代相比，这意味着性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。

三星表示，凭借高速和低功耗的特点，三星不仅计划将其3D V-NAND扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域，还计划进军高可靠性极其关键的汽车市场。

继今天推出250GB SSD之后，三星计划在今年下半年推出搭载512Gb单元的3bit V-NAND SSD和eUFS。